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什么时候中国的人口数量将出现拐点,2024年新能源汽车出现拐点

发布于:2023-12-04 10:02:00 来源:互联网

大家好,今天小编关注到一个比较有意思的话题,就是关于2024年新能源汽车出现拐点的问题,于是小编就整理了2个相关介绍2024年新能源汽车出现拐点的解答,让我们一起看看吧。

什么时候中国的人口数量将出现拐点?

中国的人口数量出现拐点,将有可能是在2024年左右,要看国家政策,如果出台了较大的奖励生育政策,可能会稍微晚一两年,如果还是现行计生政策,或者政策改变不大,将有可能在22或23年就出现人口拐点。

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第三代半导体概念分析?

1第三代半导体概念

第三代半导体材料是以 SiC(碳化硅)、 GaN(氮化镓)为代表(还包括 ZnO 氧化锌、GaO 氧化镓等)的化合物半导体,属于宽禁带半导体材料。禁带宽度是半导体的一个重要特征。固体中电子的能量是不可以连续取值的,而是一些不连续的能带,要导电就要有自由电子或者空穴存在,自由电子存在的能带称为导带(能导电),自由空穴存在的能带称为价带(亦能导电)。被束缚的电子要成为自由电子或者空穴,就必须获得足够能量从价带跃迁到导带,这个能量的最小值就是禁带宽度。

而更宽的禁带,意味着从不导通状态激发到导通状态需要的能量更大,因此采用宽禁带半导体材料制造的器件能够拥有更高的击穿电场、更高的耐压性能、更高的工作温度极限等等。第三代半导体与 Si(硅)、GaAs(砷化镓)等前两代半导体相比,在耐高压、耐高温、高频性能、高热导性等指标上具备很大优势,因此 SiC、GaN 被广泛用于功率器件、射频器件等领域。

SiC 与 GaN 相比,拥有更高的热导率,这使得在高功率应用中,SiC 占据统治地位;与此同时,GaN 相比 SiC拥有更高的电子迁移率,所以GaN具有高的开关速度,在高频应用中占有优势。

2第三代半导体发展历程

自上世纪80年代开始,以 SiC、GaN 为代表的第三代半导体材料的出现,催生了新型照明、显示、光生物等等新的应用需求和产业。其中SiC是目前技术、器件研发最为成熟的宽禁带半导体材料。

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标签: # 拐点 # 半导体 # 新能源

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